အပူပုံရိပ်ဖော်ခြင်းနှင့် ညမြင်ကွင်းအတွက် 1-25mm Chalcogenide IR မှန်ဘီလူးများ WIRG04/06/08

ကျွန်ုပ်တို့၏ chalcogenide ဖန်မှန်ဘီလူးများကို ပရီမီယံ WIRG စီးရီး chalcogenide အနီအောက်ရောင်ခြည်ဖန်ဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ 8–14μm ရှည်လျားသောလှိုင်း အနီအောက်ရောင်ခြည်ရောင်စဉ်အတွင်း အလုပ်လုပ်ပါသည်။ အလွန်ကောင်းမွန်သော အနီအောက်ရောင်ခြည် ဖြတ်သန်းနိုင်မှု၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ရွေးချယ်နိုင်သော athermalized ဒီဇိုင်းတို့ ပါရှိပြီး အအေးမခံထားသော အနီအောက်ရောင်ခြည် အပူပုံရိပ်ဖော်ခြင်း၊ ညမြင်ကွင်းနှင့် အနီအောက်ရောင်ခြည် အလင်းတန်းစနစ်များအတွက် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုပါသည်။

Chalcogenide မှန်ဘီလူးများသည် ဆာလ်ဖာ (S)၊ ဆီလီနီယမ် (Se) နှင့် တယ်လူရီယမ် (Te) ဖန်တို့ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး အာဆင်းနစ် (As) နှင့် မကြာခဏ ရောနှောထားသော အနီအောက်ရောင်ခြည် မှန်ဘီလူးများ ဖြစ်သည်။

ပစ္စည်း	စံ	တိကျမှု
အချင်း	၁-၂၅ မီလီမီတာ	၁-၂၅ မီလီမီတာ
အချင်းသည်းခံမှု	±၀.၀၁၅ မီလီမီတာ	±၀.၀၀၅ မီလီမီတာ
အထူခံနိုင်ရည်	၀.၀၃ မီလီမီတာ	၀.၀၀၅ မီလီမီတာ
မူမမှန်မှု (PV)	<၁ မိုက်ခရိုမီတာ	<၀.၆ မိုက်ခရိုမီတာ
မမှန်မကန်ဖြစ်မှု (RMS)	၀.၃ မိုက်ခရိုမီတာ	၀.၀၈ – ၀.၁၅ မိုက်ခရိုမီတာ
အလယ်ဗဟိုပြုအမှား	၁′	၁′
မျက်နှာပြင် အရည်အသွေး	၆၀ – ၄၀	၂၀-၁၀

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန် တဂ်များ

ချာကိုဂျင်နိုက်ပစ္စည်းများ

Chalcogenide ပစ္စည်းများသည် 0.5μm မှ 25μm အထိ ကျယ်ပြန့်သော ထုတ်လွှင့်မှုအကွာအဝေး၊ အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်းနိမ့်သော အပူချိန်ကိန်း၊ ပျံ့နှံ့မှုနိမ့်ကျခြင်းနှင့် စွယ်စုံရဖန်ဖွဲ့စည်းမှုများရှိသည်။ ဤပစ္စည်းများသည် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့် Germanium ကဲ့သို့သော ရှားပါးသောအရင်းအမြစ်များသုံးစွဲမှုကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး တိကျသောပုံသွင်းနည်းပညာကို အသုံးပြု၍ အသုတ်လိုက်ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။

ဒီပစ္စည်းက Mid-IR Optics အတွက် ဘာကြောင့် အသင့်တော်ဆုံးလဲ။

ကျယ်ပြန့်သော ထုတ်လွှင့်မှုအကွာအဝေး (0.5 – 25μm)။
အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်းနိမ့်သော အပူချိန်ပူးတွဲထိရောက်မှု။
ပျံ့နှံ့မှုနည်းသည်။
ဘက်စုံသုံးဖန်ထည်ဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများ။

Ge၊ ZnSe နှင့် အခြား IR ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ခြင်း

အရင်းအမြစ်အသုံးချမှုတွင် အကျိုးရှိစေသည်။
ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ပြုပြင်မှုကုန်ကျစရိတ်များ လျော့နည်းခြင်း။
Ge ကဲ့သို့သော ရှားပါးအရင်းအမြစ်များ သုံးစွဲမှု လျော့နည်းခြင်း။
Ge၊ ZnSe နှင့် အခြား IR ပစ္စည်းများအတွက် single point စိန်လှည့်ခြင်းထက် မှန်ဘီလူးများကို တိကျသောပုံသွင်းနည်းပညာကို အသုံးပြု၍ အသုတ်လိုက် ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။

တိကျသောပုံသွင်းနည်းပညာနှင့် Chalcoge

နိုက် ဖန်ခွက်

ဖန်ကို ပြားချပ်ချပ်၊ လုံးဝိုင်းသော နှင့် လုံးဝိုင်းသော မှန်ဘီလူးများအဖြစ် ပြုလုပ်နိုင်သည်။
ပိုမိုမြင့်မားသော ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုရှိသည်။
ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ် နည်းပါးခြင်း။
chalcogenide ဖန်မှန်ဘီလူးများ ထုတ်လုပ်ခြင်းကို အသုတ်လိုက် ပြုလုပ်သည်။

ရရှိနိုင်သော အရွယ်အစားများ

အချင်း/အတိုင်းအတာ: ၁၀ – ၁၀၀ မီလီမီတာ။
အထူ: ၂ – ၃၀ မီလီမီတာ။

Wavelength Opto-Electronic သည် လက်ရှိတွင် အောက်ပါ IR chalcogenides အမျိုးအစားများကို ထုတ်လုပ်ပါသည်။

အဆင့်	ဖန်ထည်ဖွဲ့စည်းမှု	ρ (ဂရမ်/စင်တီမီတာ³)
WIRG01	Ge₃₃As₁₂Se₅₅	၄.၄၂
WIRG02	Ge₂₂As₂₀Se₅₈	၄.၄၁
WIRG03	Ge₂₀Sb₁₅Se₆₅	၄.၇၁
WIRG04	As₃₀Sb₄Se₆₃Sn₃	၄.၇၂
WIRG05	Ge₂₈Sb₁₂Se₆₀	၄.၆၈
WIRG06	As₄₀Se₆₀	၄.၆၃
WIRG07	Ge₁₀As₄₀Se₅₀	၄.၄၉